在有外电场作用时，带负电的自由电子将逆着电场方向作定向运动，形成电子电流;带正电的空穴则顺着电场方向作定向运动(实际上是共价键中的价电子在运动).形成空穴电流。两部分电流方向相同，总电流为电子电流与空穴电流之和。由此可见，半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，因而存在着电子导电和空穴导电两种导电方式，这是半导体导电方式的最大特点，也是在导电原理上和金属导电方式的本质差别。半导体中载流子数量的多少是衡量其导电能力的主要标志。当然，由于自由电子和空穴总是成对产生的(称为自由电子一空穴对)，因而本征半导体在带电性质上仍是中性的。

　　半导体的导电能力的大小决定于载流子数目的多少，而载流子的数目又与温度、光照程度和掺人杂质浓度等有关，因此半导体的导电能力受温度、光照和掺人杂质等的影响。在本征半导体中，受激发后自由电子和空穴总是成对产生的。同时，自由电子在运动中如果和空穴相遇，可以放出多余的能量而填补这个空穴，二者同时消失，这种现象称为复合。

         在一定温度下，激发与复合达到动态平衡，于是半导体中的载流子便维持一定数目。当温度接近于热力学温度零度(即27390)时，不能产生电子一空穴对，半导体不能导电。在室温(2590)下，只有极少量的价电子挣脱共价键的束缚，产生的电子一空穴对数量很少，因此半导体的导电能力很低。当温度升高或受光照时，有更多的共价键中的价电子挣脱束缚，产生的电子一空穴对的数量增多，半导体的导电能力便显著增强。这就是半导体的导电性具有热敏性和光敏性的原因。下面重点讨论掺人杂质对半导体导电能力的影响。